一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010001403.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111020337A | 公开（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申请公布号 | CN111020337A | 申请公布日 | 2020-04-17 |
| 分类号 | C22C29/08;C22C1/05;C22C1/10;C01B32/949 | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 许开华;蒋振康;彭光辉;向湘衡;陈晓华;杜柯 | 申请（专利权）人 | 荆门美德立数控材料有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 荆门德威格林美钨资源循环利用有限公司;格林美股份有限公司;荆门美德立数控材料有限公司 |
| 地址 | 448000 湖北省荆门市高新区迎春大道3号（德威格林美） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法，该应用于超细碳化钨制备的抑制剂为含Ta和V的钴基复合粉末，所述含Ta和V的钴基复合粉末中Ta、V、Co三者的质量比为为2:1：(20～40)。本发明通过液相沉淀法以及碳化得到TaC‑VC的掺杂复合粉体，并通过液相还原法制备纳米钴粉，然后将TaC‑VC所组成的复合相均匀分布于Co基粘接相中，以TaC‑VC‑Co复合体系作为抑制剂，与WC粉末混合煅烧后显著抑制WC晶粒长大，并提高了硬质合金的耐高温和耐腐蚀能力。 |
