首页/ 上海料聚微电子有限公司/ 专利详情

一种伪电阻电路及其级联电路

基本信息

申请号 CN202110728621.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113381728A 公开（公告）日 2021-09-10
申请公布号 CN113381728A 申请公布日 2021-09-10
分类号 H03H11/46（2006.01）I;H03H11/54（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 李小勇;李威 申请（专利权）人 上海料聚微电子有限公司
代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 200000上海市中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1185-A室
法律状态 -

摘要

摘要 一种伪电阻电路及其级联电路，伪电阻电路包括晶体管M1，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M1的第一极、第二极分别与所述第二端、第一端连接；与所述晶体管M1对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M1的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M1的第一极和控制极之间的偏置电压增大；晶体管M2，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M2的第一极、第二极分别与所述第一端、第二端连接，所述晶体管M2第一极还与其控制极相连。本发明通过偏置电压产生电路VGEN来解决当前的伪电阻所存在的一些问题，例如提升等效阻值的线性度等。