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PTAT电压产生电路及带隙基准电路

基本信息

申请号	CN202110714690.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113342120A	公开（公告）日	2021-09-03
申请公布号	CN113342120A	申请公布日	2021-09-03
分类号	G05F1/567（2006.01）I	分类	控制；调节;
发明人	李威	申请（专利权）人	上海料聚微电子有限公司
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤
地址	201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1185-A室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种PTAT电压产生电路，包括：第一电压复制单元，所述第一电压复制单元包括：输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、及第四晶体管；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接至外部电源电压；栅极连接至所述第一晶体管的栅极与源极；所述第三晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极，栅极作为所述第一电压复制单元的输入端；所述第四晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的源极，漏/源极与栅极共连接作为所述第一电压复制单元的输出端并作为所述PTAT电压产生电路的输出端；所述PTAT电压产生电路的输入端和输出端之间的电压差为PTAT标准电压。所述PTAT电压产生电路可以适应更低的电压范围，降低所述PTAT电压产生电路的功耗。