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用于声表面波器件的复合衬底及制造方法、声表面波器件

基本信息

申请号 CN202111150737.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113872557A 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN113872557A 申请公布日 2021-12-31
分类号 H03H9/02（2006.01）I;H03H9/145（2006.01）I;H03H3/10（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 申请（专利权）人 北京超材信息科技有限公司
代理机构 北京律智知识产权代理有限公司 代理人 孙宝海;袁礼君
地址 102600北京市大兴区金盛大街2号院17号楼3层301
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种用于声表面波器件的复合衬底，压电薄膜，压电薄膜为单晶薄膜；基底，具有在基底厚度方向上相对的第一侧和第二侧，基底传播的体波声速高于压电薄膜传输的声表面波声速；氧化层，氧化层设置在所述基底与压电薄膜之间，氧化层为多晶薄膜，氧化层传播的体波声速低于压电薄膜传播的声表面波声速，氧化层具有大于零的频率温度系数，氧化层的厚度为30nm以上。由此，能够不易产生翘曲，降低插入损耗、提高温度稳定性。