一种压电性氧化物单晶基板的制造方法、SAW滤波器
基本信息
| 申请号 | CN202111293376.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114006590A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114006590A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H03H3/08（2006.01）I;H03H9/64（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 | 申请（专利权）人 | 北京超材信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李建忠;袁礼君 |
| 地址 | 102600北京市大兴区金盛大街2号院17号楼3层301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种压电性氧化物单晶基板的制造方法，包括：制备富锂多晶粉体，将碳酸锂和金属氧化物混合，进行高温固相反应后，破碎，制备富锂多晶粉体，金属氧化物中的金属元素与压电性氧化物单晶基板中的金属元素相同，富锂多晶粉体中的锂与金属具有第一化学计量比，压电性氧化物单晶基板中的锂与金属具有第二化学计量比；制备还原片，将富锂多晶粉体与还原性粉体按照预置的比例混合，压片制备第一还原片和第二还原片；还原处理，将第一还原片、压电性氧化物单晶基板、第二还原片依次安放在支架上，高温还原处理预置时间后生成表面为伪化学计量组成的压电性氧化物单晶基板。由此，能够维持压电性氧化物单晶基板的极化构造，提高基板的压电性。 |
