一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201611235050.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106672947A | 公开（公告）日 | 2017-05-17 |
| 申请公布号 | CN106672947A | 申请公布日 | 2017-05-17 |
| 分类号 | C01B32/186(2017.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 朱国森;杨云利;束正梅 | 申请（专利权）人 | 江苏中亚新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 212300 江苏省镇江市丹阳市西环路58号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，具体步骤如下：将铜箔放置于CVD反应炉中；向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应；关闭CVD反应炉，使铜箔上生长第一石墨烯层，并在第一石墨烯层上覆盖一层第一高导粉末层；打开CVD反应炉，在第一高导粉末层上继续生长第二石墨烯层，并在第二石墨烯层上覆盖一层第二高导粉末层；重复6‑12次；在第二高导粉末层上继续生长第三石墨烯层，剥除铜箔即可得到多层石墨烯，具有良好的功率特性、较高的能量密度和良好的电化学稳定性，在制备导电材料方面有很好的应用前景。 |
