可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010834602.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112134539A | 公开（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申请公布号 | CN112134539A | 申请公布日 | 2020-12-25 |
| 分类号 | H03H3/02(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 高安明;刘伟;姜伟 | 申请（专利权）人 | 合肥先微企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室（自主申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法，包括：谐振器衬底1、牺牲层2、磨平防刻蚀材料5、谐振器平板底电极6、谐振器压电材料7、谐振器交叉上电极8、压电层刻蚀窗口9及空气反射腔10；所述谐振器衬底1能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；所述牺牲层2形成于谐振器衬底1之上；所述磨平防刻蚀材料5形成于牺牲层2之中；所述谐振器底电极6采用平板结构；所述谐振器上电极8采用交叉结构；所述谐振器底电极6能够交叉谐振器上电极8形成电场；所述谐振器压电材料7采用压电薄膜材料；所述压电层刻蚀窗口9包括：牺牲层入口单元；本发明具有单片集成多频率优点，克服了传统体声波薄膜谐振器的单片单频率的不足。 |
