一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510134872.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104746137A | 公开（公告）日 | 2015-07-01 |
| 申请公布号 | CN104746137A | 申请公布日 | 2015-07-01 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王振中 | 申请（专利权）人 | 厦门烯成科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361015 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼北楼406A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法，采用分子束外延生长法，包括如下：1)将衬底置于分子束外延设备的超真空反应腔中，调节超真空反应腔的真空度为10-6～10-7Pa，调节衬底温度为500℃～600℃，除气20min～30min；2)调节衬底温度为650℃～750℃，以氧化钼粉末和硫粉末为反应源，分别通过分子束外延设备的束源炉蒸发形成氧化钼分子束和硫分子束喷射到衬底表面，所述氧化钼分子束和硫分子束在衬底表面发生反应，生长形成层状的二硫化钼薄膜。本发明通过分子束外延成膜技术实现重复的层数可控生长结构规则、表面平整的层状二硫化钼薄膜。 |
