一种基于等离子体辅助生长石墨烯的化学气相沉积设备
基本信息
| 申请号 | CN201520085865.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204490989U | 公开（公告）日 | 2015-07-22 |
| 申请公布号 | CN204490989U | 申请公布日 | 2015-07-22 |
| 分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王振中 | 申请（专利权）人 | 厦门烯成科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361015 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼北楼406A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于等离子体辅助生长石墨烯的化学气相沉积设备，所述设备包括机架、管式加热炉膛、石英管和微波装置，所述石英管通过支撑机构固定在机架上，所述管式加热炉膛通过滑动轨道连接在机架上，沿石英管外壁径向滑动；所述设备还包括进气系统，所述进气系统包括气源和进气石英管，所述进气石英管一端从石英管进样端延伸至石英管中，另一端在石英管外与气源相连；所述微波装置包围在石英管外的进气石英管外部。本实用新型先利用微波装置将气体等离子化，形成密度分布均匀的等离子体，再通入石英管中进行加热生长石墨烯，沉积速率快，薄膜缺陷少，成膜效果好。 |
