一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811524818.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109467450B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN109467450B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | C04B35/80;C04B35/573 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 黄小忠;王春齐;唐云;彭立华 | 申请（专利权）人 | 湖南泽睿新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏娟 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市高新开发区文轩路518号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积Ti3SiC2，获得含Ti3SiC2界面层的SiC纤维编织件，然后通过树脂浸渍碳化获得SiCf/C多孔体，再通过气相渗硅获得SiCf/SiC复合材料；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用非接触式气相渗硅法进行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保证100％的合格率。 |
