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一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法

基本信息

申请号 CN201810940068.6 申请日 -
公开（公告）号 CN110838335B 公开（公告）日 2021-08-03
申请公布号 CN110838335B 申请公布日 2021-08-03
分类号 G11C29/50（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 洪杰;马思博 申请（专利权）人 西安格易安创集成电路有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 100083北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法。该Nand型快闪存储器包括存储单元和感测放大器，感测放大器的高压管的第一端和预充电电容的第一端电连接，高压管的第二端以及存储单元的第一端与位线电连接，预充电电容的第二端接地，存储单元的第二端与源极线电连接。Nand型快闪存储器的漏电测试方法包括：在Nand型快闪存储器的擦除验证阶段，比较高压管的第一端的稳定电压与参考电压的大小；根据比较结果判断高压管是否漏电。本发明通过复用擦除验证过程进行高压管漏电测试，使高压管两端加载的电压差比较大，可以有效地检测感测放大器中的高压管的漏电情况，从而提高了Nand型快闪存储器的可靠性。