高磁通密度低损耗铁基纳米晶软磁合金及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110239629.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035485A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035485A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01F1/147;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/04;C22C38/30;C22C38/22;C22C38/32;C22C38/20;C22C38/28;C22C38/38;C22C38/34;B22F9/08;B22F1/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 耿振伟;胡庚;朱圆圆;韩仕杰;王雪珂 | 申请（专利权）人 | 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人 | 袁燕清 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道新乔围工业区新发路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 高磁通密度低损耗铁基纳米晶软磁合金及其制备方法，为了满足高频电感、高频开关电源、高频变压器等等磁性元器件小型化，大功率化的需求，本发明公开一种高磁通密度低损耗铁基纳米晶软磁合金及其制备方法，所述的高磁通密度低损耗铁基纳米晶软磁合金组成满足以下分子式：FeaCobWcBdSieCufAlgMi，式中M为C、P、Cr、Ti或Mn其中一种，下标a、b、c、d、e、f、g、i分别为相应元素原子百分比含量，且满足10.0≤a≤85.0，10.0≤b≤85.0，2.0≤c≤4.5，3.5≤d≤18.5，1.5≤e≤10.0，0.3≤f≤1.2，0.5≤g≤2.5，0.5≤g≤8.5，0.5≤i≤6.0且a+b+c+d+e+f+g+i＝100；本发明的有益效果在于，采用本发明提供的方法制备的纳米晶软磁合金，磁通密度高，损耗低，磁导率高。 |
