一种用有机金属化学气相沉淀法制备LED宽频梯度荧光薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310388246.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103469301B | 公开（公告）日 | 2016-08-10 |
| 申请公布号 | CN103469301B | 申请公布日 | 2016-08-10 |
| 分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李廷凯;李晴风;张拥军;陈建国;唐冬汉;虞爱民;谭丽霞;李勇 | 申请（专利权）人 | 湖南湘江研究院有限责任公司 |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 马强 |
| 地址 | 410004湖南省长沙市青园路506号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用有机金属化学气相沉淀法制备LED宽频梯度荧光薄膜的方法，采用多元液相输送MOCVD工艺方法在LED器件上直接外延生长荧光材料薄膜，或在LED灯罩衬片上（衬片材料为蓝宝石（Al2O3），石英玻璃或高温玻璃）沉积均匀的荧光材料薄膜，获得了各向均匀的色温度和高性能的白色LED器件，特别是在LED器件上直接外延生长宽谱梯度和多色（红绿蓝）多层复合型荧光材料薄膜和在LED灯罩衬片上外延和沉积均匀的宽谱梯度和多色（红绿蓝等）多层复合型荧光材料薄膜，制备出具有高性能和高显色指数即近似阳光的白色LED器件。 |
