用于MOSFET的E
基本信息
| 申请号 | 2020109155516 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112260522A | 公开（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申请公布号 | CN112260522A | 申请公布日 | 2021-01-22 |
| 分类号 | H02M1/08(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 孙向东;陈泽驰;王之轩;任碧莹 | 申请（专利权）人 | 西安理工大学 |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 弓长 |
| 地址 | 710048陕西省西安市碑林区金花南路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于MOSFET的E2类谐振驱动电路，包括直流供电电压，直流供电电压的正极连接有直流电感的一端，直流电感的另一端连接有第一开关管的漏极，第一开关管的源极连接到直流供电电压的负极，还包括串联的二倍频谐振电感和谐振电容，二倍频谐振电感和谐振电容串联连接后并联到第一开关管的漏极与源极上且连接有ON‑OFF子电路，直流供电电压还并列连接有负压关断子电路，ON‑OFF子电路的输出端和负压关断子电路的输出端并列连接有被驱动主动开关管。本发明实现对高频MOSFET的ON‑OFF驱动，使开关器件可以在高频谐振的通断模式下工作。本发明还公开了一种用于MOSFET的E2类谐振驱动电路的调制方法。 |
