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应用于Micro-LED的外延片结构、其制作方法及包括其的LED芯片

基本信息

申请号 CN201811162087.7 申请日 -
公开（公告）号 CN109103351A 公开（公告）日 2018-12-28
申请公布号 CN109103351A 申请公布日 2018-12-28
分类号 H01L51/56;H01L51/50 分类 基本电气元件;
发明人 施松刚 申请（专利权）人 浙江老鹰半导体技术有限公司
代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限公司 代理人 浙江老鹰半导体技术有限公司
地址 311800 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道展诚大道82号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种应用于Micro‑LED的外延片结构，包括由衬底表面向外依次设置的GaN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层和P型GaN层，所述N型GaN层为第一柱状结构，所述P型GaN层为第二柱状结构，所述第一柱状结构和所述第二柱状结构之间设有沟槽，所述沟槽裸露出所述U型GaN层，本发明中通过外延生长出N型GaN层和P型GaN层，所述N型GaN层为第一柱状结构，所述P型GaN层为第二柱状结构，这样的结构在后期旋涂有机发光层之后，这样可以提高整个外延片的波长的均匀性和一致性，极大拓展了Micro‑LED的应用和实现。