一种带半导体屏蔽层的浇注防水母线槽

基本信息

申请号 CN201821659658.3 申请日 -
公开(公告)号 CN208806581U 公开(公告)日 2019-04-30
申请公布号 CN208806581U 申请公布日 2019-04-30
分类号 H02G5/06(2006.01)I; H02G5/10(2006.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 孙家国; 卞海霞 申请(专利权)人 江苏国明浩辰科技有限公司
代理机构 镇江基德专利代理事务所(普通合伙) 代理人 江苏国明浩辰电气有限公司
地址 212200 江苏省镇江市扬中市新坝科技园区大全路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种带半导体屏蔽层的浇注防水母线槽,包括外壳,所述外壳的内部设有母线安放槽,所述母线安放槽的槽壁上连接有屏蔽垫,所述母线安放槽一侧的屏蔽垫上设有第一软体扶杆,所述母线安放槽另一侧的屏蔽垫上设有第二软体扶杆,所述第一软体扶杆和第二软体扶杆交错设置,所述屏蔽垫上方的母线安放槽内连接有密封盖,所述母线安放槽侧面的外壳中设有封闭圈,本带半导体屏蔽层的浇注防水母线槽,在母线安放槽与母线安放槽之间的散热通道的设置,便于母线产生的热量进行发散,从而使得整体具有良好的散热性,同时在整体的内部支撑杆的设置,使得整体具有良好的抗形变能力,从而满足了人们的使用需求。