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一种半导体芯片封装结构

基本信息

申请号 CN201010234248.6 申请日 -
公开（公告）号 CN101924079B 公开（公告）日 2012-10-31
申请公布号 CN101924079B 申请公布日 2012-10-31
分类号 H01L23/02(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 范爱民 申请（专利权）人 西安能讯微电子有限公司
代理机构 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 代理人 黄瑞华
地址 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体芯片封装结构，该半导体芯片被真空包覆于包覆体中，所述半导体芯片可以是氮化镓晶体管、氮化镓放大器模块或者氮化镓单片微波集成电路，上述氮化镓晶体管由下至上依次包括基片、半导体层和隔离层，该氮化镓晶体管还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极设置于所述隔离层上且电性连接所述半导体层，所述栅极设置于所述隔离层上，所述栅极位于所述源极和漏极之间。上述氮化镓晶体管真空封装于包覆体中，真空条件下，在器件表面不设置钝化层或者设置很薄的一层钝化层均可以消除所封氮化镓晶体管的电流崩塌效应，同时可以减小所封装氮化镓晶体管的寄生电容。