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一种场效应晶体管

基本信息

申请号 CN201010231809.7 申请日 -
公开（公告）号 CN101924129B 公开（公告）日 2013-01-30
申请公布号 CN101924129B 申请公布日 2013-01-30
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 范爱民 申请（专利权）人 西安能讯微电子有限公司
代理机构 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 代理人 西安能讯微电子有限公司;苏州能讯高能半导体有限公司
地址 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种场效应晶体管，该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层上，所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同，所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本发明一种场效应晶体管在第一介质层上设置低介电常数的第二介质层，第一层介质层为了钝化材料表面态和缺陷，第二层介质层为了降低强场下的空气电离效应，低介电常数的第二介质层可以大大降低器件的寄生电容，提高器件的截止频率。第一介质层和第二介质层也可以辅助形成场板结构，场板结构有利于进一步减低电场，减低电流崩塌效应。