HEMT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200810110136.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101604704B | 公开（公告）日 | 2012-09-05 |
| 申请公布号 | CN101604704B | 申请公布日 | 2012-09-05 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张乃千 | 申请（专利权）人 | 西安能讯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 西安能讯微电子有限公司;苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的缓冲层；在上述缓冲层上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述源极和漏极之间的栅极；其中，在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。 |
