一种紫外纳秒激光直写微流控芯片制备系统与方法
基本信息
| 申请号 | CN201911110237.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110744206B | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN110744206B | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | B23K26/364（2014.01）I;B23K26/382（2014.01）I;B23K26/70（2014.01）I;B01L3/00（2006.01）I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 温维佳;娄凯 | 申请（专利权）人 | 广州市凯佳光学科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 | 代理人 | 廉莹 |
| 地址 | 511458 广东省广州市南沙区环市大道南2号之广州南沙资讯科技园软件南楼302A-20房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种紫外纳秒激光直写微流控芯片制备系统与方法，所述微流控芯片制备系统包括：紫外纳秒激光器、电控光阑、激光扩束器、光束转换器、光束旋转器、透镜、二向色镜、激光切割头、三维移动平台以及控制装置，本发明采用二元相位板和锥透镜组成的光束转换器，可有效生成光滑高质量一类零阶和长高瑞利长度的贝塞尔激光，有效擦除零阶贝塞尔光束中心零级光外的一级光圈，从而有效提升贝塞尔光束的加工质量。本发明可实现高纵深比的激光直写微流控芯片加工，提高激光加工效率并且系统结构简单，便于操作，可用于各种方案的微流控芯片的高效率、高质量加工。 |
