窄粒径分布的三元前驱体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010690386.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111943278A | 公开（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申请公布号 | CN111943278A | 申请公布日 | 2020-11-17 |
| 分类号 | C01G53/00;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 罗爱平;吴芳 | 申请（专利权）人 | 广东芳源新材料集团股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 广东芳源环保股份有限公司 |
| 地址 | 529162 广东省江门市新会区古井镇临港工业园A区11号（厂房一、二、三、四、电房） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种窄粒径分布的三元前驱体的制备方法，包括如下步骤，配置溶液：按照预定的摩尔比例配置镍离子、钴离子和M离子的混合溶液A、第一强碱性溶液B1和第一络合剂溶液C1；配置底液：向反应装置中加入纯水、第二强碱性溶液B2和第二络合剂溶液C2；成核和生长阶段：成核结束后，继续将所述混合溶液A、所述第一强碱性溶液B1和所述第一络合剂溶液C1按预定比例同时加入反应装置中，使晶核继续生长，期间在反应装置中的溶液到达或低于所述反应装置的满液位时，进行提浓处理，使滤清液排出反应装置外，晶核继续留在反应装置内生长，直至晶核生长至目标粒度。 |
