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一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片

基本信息

申请号	CN202111246152.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113964117A	公开（公告）日	2022-01-21
申请公布号	CN113964117A	申请公布日	2022-01-21
分类号	H01L27/02（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李小亮;李文杰;旷章曲	申请（专利权）人	豪威科技（北京）股份有限公司
代理机构	北京凯特来知识产权代理有限公司	代理人	郑立明;付久春
地址	100085北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼6层3单元603
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片，保护电路包含至少一个GGNMOS，各GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区仅直接电性连接至GNDIO，使该GGNMOS内部的竖向寄生三极管与横向寄生三极管并联连接后共同形成IO至GNDIO的放电路径。通过将GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区直接电性连接至GNDIO，不再与VDDIO连接，避免了竖向寄生三极管向VDDIO形成放电路径，不会影响横向寄生三极管的放电不均匀性，放电电流都要经过GNDIO路径到VDDIO，降低了横向寄生三极管的开启电压Vt1，即以相对简单的方式，很大程度消除了GGNMOS固有的导通不均匀特征，提升了该ESD保护电路的静电保护效果。