首页/ 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司/ 专利详情

带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111322446.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113990744A 公开（公告）日 2022-01-28
申请公布号 CN113990744A 申请公布日 2022-01-28
分类号 H01L21/04（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 董志华;刘辉;刘国华;程知群 申请（专利权）人 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
代理机构 杭州昱呈专利代理事务所（普通合伙） 代理人 雷仕荣
地址 311400浙江省杭州市富阳区银湖街道银湖花苑3号楼三层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，其中主要步骤为S80，为得到栅槽，对碳化硅进行第一次刻蚀，一次刻蚀所用掩膜包含一种低刻蚀选择比和一种较高刻蚀选择比的两种掩膜，分别用于形成栅槽下半部分的斜面和垂直面结构；S90，为得到栅槽，对碳化硅进行第二次刻蚀，刻蚀掩膜为刻蚀选择比较高的掩膜，用于形成两侧都为垂直面的槽；S100，高温干氧氧化形成栅介质。本发明保证栅氧化层的可靠性，在器件反向阻断时，栅氧化层的电场强度能降低到很低，并且施加保护结构后也不影响器件的正向导通性能，保证导通电阻不会增加，电流输出能力不会降低。