一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201210485519.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105118906A | 公开（公告）日 | 2015-12-02 |
| 申请公布号 | CN105118906A | 申请公布日 | 2015-12-02 |
| 分类号 | H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 武胜利;肖志国;刘琦;闫晓红;李倩影;唐勇 | 申请（专利权）人 | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116600 辽宁省大连市开发区黄海大道1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法。发光二极管中发光平台表面的ITO透明导电层是各自独立的膜块，它们之间由Ni/Au导电材料连接起来，分立的透明导电膜块之间的距离是6-20μm，导电介质可以是NiAu、ZnO，起到导通ITO膜块的作用。通过制备多膜块的透明导电层，可以降低大尺寸芯片整体ITO导电层的应力，改善芯片在长时间电流作用下ITO材料与GaN接触特性变差的情况。 |
