一种GaN基发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN200910219700.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102054915A | 公开（公告）日 | 2011-05-11 |
| 申请公布号 | CN102054915A | 申请公布日 | 2011-05-11 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘硕;武胜利;刘丽;柯志杰;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人 | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)在衬底上生长发光二极管，在p型电极和透光层间加反射电极层，电极反射层的材料为Ag、Al、Pb、Rh中的一种或两种，其厚度是100-600nm，电极反射层使射向p电极的光被反射回去，经反射层反射后射出，减少电极的挡光，增加发光二极管的亮度，亮度约增加5％。 |
