一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN200810229846.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101752480A | 公开（公告）日 | 2010-06-23 |
| 申请公布号 | CN101752480A | 申请公布日 | 2010-06-23 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天鹏;郭文平;陈向东;刘海燕;肖志国 | 申请（专利权）人 | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，即在氮化镓基LED外延片中引入电容式结构，该电容式结构包括n型电容式结构和p型电容式结构，n型电容式结构为氮化镓基n型层/非掺杂层/氮化镓基n型层结构；p型电容式结构为氮化镓基p型层/非掺杂层/氮化镓基p型层结构；通过在n型和p型氮化镓层中形成电容式外延结构，缓解静电对氮化镓基LED芯片的冲击，提高LED芯片对静电的耐受能力。 |
