一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法
基本信息
| 申请号 | CN200910219611.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102053218A | 公开（公告）日 | 2011-05-11 |
| 申请公布号 | CN102053218A | 申请公布日 | 2011-05-11 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张玉涛;王景伟;朱世斌;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人 | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法，本方法好处在于通过调控腐蚀剂的浓度、温度和腐蚀时间，迅速把半导体封装结构中环氧树脂去除掉，再用清洗剂把裸露出的半导体发光二极管芯片进行清洗，以达到把半导体发光芯片完好的从封装结构中取出目的。本方法简单易操作，对半导体发光芯片表面和性能无本质影响，是半导体发光芯片失效分析中一种非常重要的方法。 |
