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一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法

基本信息

申请号 CN201210549917.8 申请日 -
公开（公告）号 CN103996765A 公开（公告）日 2014-08-20
申请公布号 CN103996765A 申请公布日 2014-08-20
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 肖志国;展望;杨天鹏;刘俊;芦玲;武胜利 申请（专利权）人 大连路美芯片科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法，在下P型GaN层和P型AlGaN层之间引入P-InxGa1-xN/P-AlyInzGa1-y-zN空穴注入层，引入P-InGaN层有利于空穴的积累，从而增加P-InGaN处空穴浓度，增强空穴的注入。同时P-AlInGaN的引入提高了有效势垒高度减少了电子的泄漏，使电子和空穴在发光量子阱区域的复合效率得到提高，进而提高器件内量子效率。本发明的外延片按常规芯片工艺，制成单颗尺寸为10×23mil、以ITO为透明电极的LED芯片，经过芯片测试，测试电流20mA，单颗芯片光输出功率可得到10%-25%的提升。