一种霍尔传感器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | 2020111313166 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112259679A | 公开（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申请公布号 | CN112259679A | 申请公布日 | 2021-01-22 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李健萍;陈岚 | 申请（专利权）人 | 佛山中科芯蔚科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姚璐华 |
| 地址 | 528200广东省佛山市南海区桂城街道深海路17号瀚天科技城A区7号楼一楼104单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种霍尔传感器及其制作方法，包括P型衬底以及位于所述P型衬底上的N阱有源区、P型覆盖层、引出电极和至少四个接触孔；所述P型覆盖层和所述引出电极位于所述N阱有源区的中间区域；所述引出电极覆盖所述P型覆盖层，且分布在所述P型覆盖层的中间区域；所述至少四个接触孔分布在所述N阱有源区的四周，且分别位于所述引出电极的至少四个叉指的外端。因此，在霍尔传感器工作时，能够在N阱有源区和P型覆盖层之间产生耗尽层，从而可以有效减少热载流子效应，改善N阱有源区杂质的高斯分布，增加有效的N阱深度，降低N阱杂质浓度，进而可以提高霍尔器件的灵敏度。 |
