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一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架

基本信息

申请号 CN201520949982.9 申请日 -
公开（公告）号 CN205171016U 公开（公告）日 2016-04-20
申请公布号 CN205171016U 申请公布日 2016-04-20
分类号 C30B29/08(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陆海凤;柯尊斌;秦瑶;席珍强 申请（专利权）人 南京中锗科技有限责任公司
代理机构 北京天平专利商标代理有限公司 代理人 中锗科技有限公司;南京中锗科技有限责任公司
地址 211299 江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，包括支架本体，所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩埚上部、通过凹槽卡紧悬浮坩埚的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大埚接触以保持稳定；所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。本实用新型提供的支架本体与悬浮坩埚直接相连后，实际上成为悬浮坩埚的配重装置，通过控制支架本体的重量，在设计热场时可以更加自由地设计悬浮坩埚的熔体深度和界面形状，拉出零位错锗单晶的成功率也大大提高。