一种配置热丝的电弧离子镀膜装置
基本信息
| 申请号 | CN201910797925.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110468379A | 公开（公告）日 | 2019-11-19 |
| 申请公布号 | CN110468379A | 申请公布日 | 2019-11-19 |
| 分类号 | C23C14/32（2006.01）I; C23C14/02（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵彦辉; 刘忠海; 王海; 于宝海; 王英智; 刘洋 | 申请（专利权）人 | 沈阳乐贝真空技术有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 中国科学院金属研究所; 沈阳乐贝真空技术有限公司 |
| 地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于材料表面改性领域，具体涉及一种配置热丝的电弧离子镀膜装置。在设备真空室的侧壁处相对设置热丝接线柱，每个热丝接线柱的一端通过真空室侧壁伸入真空室内，每个热丝接线柱穿设固定于真空室侧壁的一个热丝绝缘块上，每个热丝接线柱的另一端露在真空室外侧；相对设置的两个热丝接线柱露出真空室外壁的一端，分别通过导线接热丝电源的正极与负极，相对设置的两个热丝接线柱伸至真空室内的一端通过热丝连接，形成一组热丝发射热电子结构。在镀膜过程中，通过给热丝通电，使其发射热电子，热电子在迁徙过程中通过与气体分子或金属原子发生碰撞，使其发生电离，从而提高真空室内的等离子体密度，提高薄膜致密化程度及其沉积速率。 |
