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一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置

基本信息

申请号 CN201921405739.5 申请日 -
公开（公告）号 CN210974854U 公开（公告）日 2020-07-10
申请公布号 CN210974854U 申请公布日 2020-07-10
分类号 C23C14/32(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 分类 -
发明人 赵彦辉;刘忠海;王海;于宝海;王英智;刘洋 申请（专利权）人 沈阳乐贝真空技术有限公司
代理机构 沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 中国科学院金属研究所;沈阳乐贝真空技术有限公司
地址 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于材料表面改性领域，涉及一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置。在电弧离子镀设备上部中心的法兰位置处接一根或两根以上辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，辅助阳极棒由紫铜制作，采用空心水冷，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁。在镀膜过程中，真空室内产生的电子在辅助阳极电场力的作用下发生迁徙，在迁徙过程中将气体分子电离，极大提高真空室内的等离子体密度，可有效提高镀膜沉积效率和薄膜致密度。本实用新型不仅适用于工业广泛应用的电弧离子镀设备，而且对于离化率较高的各种离子镀及高功率脉冲磁控溅射等技术同样适用，可有效提高其等离子体密度。