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一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN201610369963.8 申请日 -
公开（公告）号 CN105810772B 公开（公告）日 2017-07-14
申请公布号 CN105810772B 申请公布日 2017-07-14
分类号 H01L31/078;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 刘芳洋;陈鑫;蒋良兴 申请（专利权）人 湖南铱太科技有限公司
代理机构 长沙市融智专利事务所 代理人 魏娟
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区岳麓街道麓山南路966号第7栋第二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法，硫化锑/硅叠层太阳电池包括晶硅底电池、硫化锑薄膜顶电池以及中间复合连接结构层；所述复合连接结构层由下至上包括二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层和高功函数过渡金属氧化物层，二氧化硅钝化层中包含金属纳米颗粒阵列。其制备方法是，先在晶硅太阳电池表面依次制备金属纳米颗粒阵列、二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层及过渡金属氧化物层；再在所述过渡金属氧化物层表面制备硫化锑薄膜太阳电池，该方法材耗少，成本低，且可利用现有成熟工艺及设备进生产，有利于生产技术的推广应用。