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一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法

基本信息

申请号	CN201510420561.1	申请日	-
公开（公告）号	CN105118877B	公开（公告）日	2017-08-04
申请公布号	CN105118877B	申请公布日	2017-08-04
分类号	H01L31/032(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘芳洋;高春晖;蒋良兴;赵联波;曾芳琴	申请（专利权）人	湖南铱太科技有限公司
代理机构	长沙市融智专利事务所	代理人	颜勇
地址	410083 湖南省长沙市岳麓区岳麓街道麓山南路966号第7栋第二层
法律状态	-

摘要

本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓硫预制层，可以有效控制薄膜成分和生长情况，再通过硒化退火实现硒的并入，制得铜铟镓硫硒薄膜。这种反应溅射预制层后硒化的方法制备出的铜铟镓硫硒薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，体积膨胀小，可有效地解决现有方法制备铜铟镓硫硒半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳、表面缺陷较多及易产生不利杂相等问题，且该方法对设备的要求不高，易于实现产业化，在生产中可以大规模推广。