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一种光伏材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN201510489479.4	申请日	-
公开（公告）号	CN105039909A	公开（公告）日	2015-11-11
申请公布号	CN105039909A	申请公布日	2015-11-11
分类号	C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	刘芳洋;高春晖;蒋良兴;赵联波;曾芳琴	申请（专利权）人	湖南铱太科技有限公司
代理机构	长沙市融智专利事务所	代理人	颜勇
地址	410083 湖南省长沙市岳麓区岳麓街道麓山南路966号第7栋第二层
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种光伏材料及其制备方法；特别涉及一种硒硫化锑薄膜材料及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明所述光伏材料的化学式为Sb₂(S_xSe_1-x)₃，其中x的取值范围为0<x<1。其制备方法为：先在基底上通过溅射的方法制备硫化锑预制层，在一定条件下进行硒化退火，得到硒硫化锑薄膜材料。本发明首次设计并提出溅射硫化锑预制层后硒化制备硒硫化锑半导体薄膜材料的方法，制备出的硒硫化锑薄膜材料结晶性好、成分可控，薄膜的致密度高、体积膨胀小，避免现有方法制备半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳及易产生不利杂相等问题，且该方法对设备的要求不高，易于实现产业化，在生产中可以大规模推广。