一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN201810977212.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109166787B | 公开（公告）日 | 2019-06-28 |
| 申请公布号 | CN109166787B | 申请公布日 | 2019-06-28 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 铜陵安德科铭电子材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有较低蚀刻速率的氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体，与含氮化合物反应沉积到衬底上，形成可流动的硅氮薄膜，经过氧化性气体氧化，得到氧化硅薄膜。本发明形成的氧化硅薄膜的Si‑H键密度显著降低，湿蚀刻速率也大大降低，经过高温退火或紫外固化之后，在有图案的硅晶片上，可实现从下至上的、无缝间隙填充；在空白硅晶片上，可形成高质量的氧化硅薄膜；均匀性好，覆盖性能优良。 |
