一种小发散角N型共阴极MicroLED器件及其阵列
基本信息
| 申请号 | CN202111241713.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113838961A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113838961A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L33/60（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙雷;张婧姣 | 申请（专利权）人 | 南京数字光芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京沁优知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周庆路 |
| 地址 | 100000北京市大兴区北京经济技术开发区中和街14号2幢2层A2079号（集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列，小发散角N型共阴极Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒，所述发光颗粒包括N型半导体、P型半导体和设置在二者之间的发光量子阱，所述像素电极与所述P型半导体相连接，所述N型半导体与外部阴极电极相连接，且所述发光颗粒的侧边设置有绝缘隔离结构，收敛发散角，绝缘隔离结构采用绝缘材料或绝缘气体或绝缘膜层中的一种或多种的组合，用于隔离若干相邻的隔离部、P型半导体和发光量子阱。本发明通过将MicroLED颗粒本身的N型半导体层代替单独制作的阴极电极，提高了出光效率。 |
