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一种减少CMOS反向器短路电流的方法

基本信息

申请号 CN201810299699.4 申请日 -
公开（公告）号 CN109039322A 公开（公告）日 2018-12-18
申请公布号 CN109039322A 申请公布日 2018-12-18
分类号 H03K19/00 分类 基本电子电路;
发明人 程旭;王传政;喻明艳;韩晓磊 申请（专利权）人 北京北大众志微系统科技有限责任公司
代理机构 中国兵器工业集团公司专利中心 代理人 北京北大众志微系统科技有限责任公司
地址 100080 北京市海淀区中关村北大街151号燕园大厦11层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于CMOS数字电路领域，应用于CPU,SRAM，ASIC等电路的设计,具体涉及一种减少CMOS反向器短路电流的方法,所述方法是在反向器的衬底端施加源‑衬偏置电压，改变PMOS管和NMOS管的阈值电压，从而减少反相器状态翻转瞬间的短路电流，进而降低无效功耗。相比于现有技术，本发明通过在反向器的衬底端施加偏置电压来改变PMOS管和NMOS管的阈值电压，从而达到减小短路电流的目的，且多个反向器可共用一套阈值电压调制电路，面积和功耗较现有技术都有很大优势。