一种在位线结构中设置有传输门的SRAM及存取提升方法
基本信息
| 申请号 | CN202011469195.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112579002A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112579002A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | G06F3/06(2006.01)I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 程旭;王传政;喻明艳;韩晓磊 | 申请（专利权）人 | 北京北大众志微系统科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张乾桢 |
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北大街号燕园大厦11层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种在位线结构中设置有传输门的SRAM及存取提升方法，该SRAM包括：多个存储单元，组成存储阵列；每个个存储单元包括外围驱动电路，字线WL、锁存器，以及位线；所述位线包括位线BL、和位线其中，在位线的预定位置处插入一个双向传输门，以所述双向传输门为节点，将位线截为两段，使得靠近读出放大器一侧位线寄生RC降低，提升存取速度。 |
