一种存储器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010255430.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111459864B | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN111459864B | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | G06F13/40（2006.01）I;G06F13/16（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 郭祥浩;刘传星;陈峰;夏洪锋;苏进;关皓伟;任殿升;邰连梁;周大锋;李广仁;谢长倩 | 申请（专利权）人 | 深圳朗田亩半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市深佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常忠良 |
| 地址 | 518112广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李二路11号中海信创新产业城19幢20层01-02单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种转换设备、存储器件及其制造方法，存储器件可以包括DDR存储层、DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，外围接口层可以包括GDDR接口层或PCIe接口层。其中，转换逻辑电路层可以将利用外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理，而后传输至DDR接口层，或者将利用DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理，而后传输至外围接口层，DDR存储层和DDR接口层可以连接，这样，转换逻辑电路层可以对数据进行DDR和GDDR存储逻辑的转换，DDR存储层的数据可以经过转换逻辑电路层从外围接口层输出，从外围接口层输入的数据可以经过转换逻辑电路层存储至DDR存储层，使存储器件在成本较低的DDR的基础上实现GDDR的功能，降低了存储器件的成本。 |
