一种测量外延片的外延层厚度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210340751.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114739300A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114739300A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | G01B11/06（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 余先育;张兴华;唐德明 | 申请（专利权）人 | 上海优睿谱半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200433上海市杨浦区国定路323号3层（集中登记地） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种测量外延片的外延层厚度的方法，该方法为使用内置参考片测量方法（FROC，Fixed Reference On Chuck），其中包括下列步骤：在载物台上布置外延片，其中所述载物台包括卡盘以及凸台，所述凸台与所述卡盘连接并从所述卡盘伸出，其中在所述凸台上布置参考片，其中外延片布置在所述卡盘上；配置光谱测量系统的配方参数；通过所述光谱测量系统测量所述参考片的参考光谱，并且测量所述外延片的样品光谱；根据所述参考光谱以及所述样品光谱确定对照光谱；根据所述配方参数确定所述对照光谱的特征波段；以及根据所述特征波段确定所述外延片的外延层厚度。 |
