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具有降低的结温的功率模块及其制造方法

基本信息

申请号 CN201810194280.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110246808B 公开（公告）日 2021-08-10
申请公布号 CN110246808B 申请公布日 2021-08-10
分类号 H01L23/13;H01L23/535;H01L21/50 分类 基本电气元件;
发明人 庄伟东;姚二现 申请（专利权）人 南京银茂微电子制造有限公司
代理机构 南京苏创专利代理事务所（普通合伙） 代理人 曹成俊
地址 211200 江苏省南京市溧水经济开发区秀山西路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有降低的结温的功率模块及其制造方法，所述功率模块的结构包括上DBC层、功率芯片层、下DBC层及散热器，上DBC层自上而下依次包括上铜箔层、上陶瓷层、上线路层，功率芯片层包括功率芯片、键合金属片及引线金属片，下DBC层自上而下依次包括下线路层、下陶瓷层、下铜箔层，散热器直接与下铜箔层接触，功率芯片直接铺设在下线路层上，上线路层与功率芯片接触，功率芯片通过键合金属片和上线路层进行相互之间的连接并且最终通过引线金属片连接到信号端子和功率端子。本发明的结构可以有效降低芯片运行时的结温，适合于硅和化合物半导体功率模块。