基于硅薄膜的高灵敏压力传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810379032.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108444623A | 公开（公告）日 | 2018-08-24 |
| 申请公布号 | CN108444623A | 申请公布日 | 2018-08-24 |
| 分类号 | G01L1/24 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李谊军;冯丽爽;高山;高玉倩;杨健;连子龙 | 申请（专利权）人 | 北京东方锐择科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京律和信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘国伟;武玉琴 |
| 地址 | 100085 北京市海淀区创业中路36号4层412室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及基于硅薄膜的高灵敏压力传感器及其制备方法。所述压力传感器包括硅管、硼硅玻璃套管、单模光纤，其中：所述硅管用于作为FP腔体，其一端经过一段二氧化硅薄膜与硅薄膜固连，另一端与所述硼硅玻璃套管固连；所述硼硅玻璃套管连接所述硅管，用于插接所述单膜光纤；所述单模光纤通过所述硼硅玻璃套管插入所述硅管之中，并且所述单模光纤的中心、所述硅薄膜的中心均在所述硅管的中心轴线上；所述单模光纤的端面和所述硅薄膜作为FP腔的两个腔镜，与所述硅管的轴向成90°，形成FP干涉结构。本发明基于SOI制备，可满足不同灵敏度要求，探头微型化；不易受温度、湿度变化影响；探头的传感特性一致性好，易实现大规模生产，成本低。 |
