一种金属-硫属半导体材料、其制备方法和用途
基本信息
申请号 | CN201610250033.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN105923612A | 公开(公告)日 | 2016-09-07 |
申请公布号 | CN105923612A | 申请公布日 | 2016-09-07 |
分类号 | C01B19/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 无机化学; |
发明人 | 何佳清;谢晓滨;林京洋;冯丹 | 申请(专利权)人 | 深圳热电新能源科技有限公司 |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 南方科技大学;深圳热电新能源科技有限公司 |
地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号南方科技大学第二科421 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种金属?硫属半导体材料、其制备方法和用途,该金属?硫属半导体材料包括金属?硫属半导体晶体,金属?硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1?100纳米,金属?硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体,纳米片具有原子级厚度,纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。所述金属?硫属半导体材料属于纳米半导体晶体材料,粒径均一,形貌及大小可控,性能好,其制备方法所需的原料物种较少,反应条件温和,产率高,适于工业化应用。 |
