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一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法

基本信息

申请号	CN201610317305.4	申请日	-
公开（公告）号	CN105977372A	公开（公告）日	2016-09-28
申请公布号	CN105977372A	申请公布日	2016-09-28
分类号	H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	何佳清;陈跃星;葛振华;尹美杰;冯丹	申请（专利权）人	深圳热电新能源科技有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	南方科技大学;深圳热电新能源科技有限公司
地址	518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号南方科技大学第二科421
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明的方法通过以高纯的Sn、K和Sn单质为原料，将原料通过改进的机械合金化方法制备成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结的方法，并调节机械合金化方法以及放电等离子烧结的工艺参数，实现了钾元素的有效掺杂，制备得到K空穴掺杂的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1?x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的热导率、高的载流子浓度、高的功率因子和ZT值，热导率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高热电优值ZT分别高达350μW/mK²和1.08，优化了热电性能，而且本发明的方法具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。