一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911096804.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110808295B | 公开（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申请公布号 | CN110808295B | 申请公布日 | 2021-04-23 |
| 分类号 | H01L31/08(2006.01)I;H01L31/115(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎淼;赵汝法;王巍;霍军;袁军 | 申请（专利权）人 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 重庆启恒腾元专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黎志红 |
| 地址 | 404100重庆市涪陵区鹤滨路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明请求保护一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及制备方法，其包括：半导体晶体、阴极和阳极；所述半导体晶体包括相对设置于所述半导体晶体两侧的第一面和第二面；所述阴极设于所述半导体晶体的第一面；所述阳极设于所述半导体晶体的第二面，所述阳极包括：收集电极、电致伸缩电极及导电层，所述电致伸缩电极围绕所述收集电极布设，所述电致伸缩电极为电致伸缩电极材料制作而成的电极，若干电致伸缩电极通过导电层相互电连接，在高辐射通量条件下，通过导电层给电致伸缩电极施加外加控制电压，电致伸缩电极沿电极槽伸展，在半导体晶体内部深处构成内电场，加快半导体晶体深处堆积载流子的迁移及复合，促进信号载流子的高效吸收。 |
