一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法

基本信息

申请号	CN202010911231.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112083470A	公开（公告）日	2020-12-15
申请公布号	CN112083470A	申请公布日	2020-12-15
分类号	G01T1/24(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	黎淼;王巍;樊琦;赵汝法;霍军	申请（专利权）人	重庆中易智芯科技有限责任公司
代理机构	重庆启恒腾元专利代理事务所（普通合伙）	代理人	重庆中易智芯科技有限责任公司
地址	404100重庆市涪陵区鹤滨路22号
法律状态	-

摘要

本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层，其中，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生变化。本发明能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。