一种低暗电流的CMOS APD光电器件专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种低暗电流的CMOS APD光电器件

基本信息

申请号	CN202010709400.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112635613A	公开（公告）日	2021-04-09
申请公布号	CN112635613A	申请公布日	2021-04-09
分类号	H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/02	分类	基本电气元件;
发明人	霍军;王巍;黎淼;丁立;樊琦;赵汝法;袁军	申请（专利权）人	重庆中易智芯科技有限责任公司
代理机构	重庆启恒腾元专利代理事务所（普通合伙）	代理人	黎志红
地址	404100 重庆市涪陵区鹤滨路22号
法律状态	-

摘要

本发明请求保护一种低暗电流的CMOSAPD光电器件，属于半导体光电器件领域。器件结构包括P衬底，其还包括在其上离子注入的P阱，所述P阱上离子注入有一个N+层和两个P+层，N+层为阴极，P+层为阳极。将重掺杂的N+层与轻掺杂的P阱层形成PN结，即形成雪崩区，并设置一个光照窗口，当光源射入器件内部被光吸收区吸收时，产生光生载流子，光生载流子在电场作用下运动到雪崩区参与倍增；还将所述P阱层的间隙两端掺杂STI保护环和N+层两侧掺杂小尺寸STI保护环，STI的合理设置既能保证暗电流的降低，又可使光电流被有效探测；在器件电极设计上优化了光电效应及电容。该设计技术从PN结、STI保护环、电极设置三方面进行设计，降低器件的暗电流，保证光电流可被探测，电容减小。