一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010857537.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112054087A | 公开（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申请公布号 | CN112054087A | 申请公布日 | 2020-12-08 |
| 分类号 | H01L31/119(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎淼;王巍;霍军;赵汝法;樊琦;丁立 | 申请（专利权）人 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 重庆启恒腾元专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 |
| 地址 | 404100重庆市涪陵区鹤滨路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明请求保护一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法，其采用石墨烯场效应管电阻值作为测量物理量，具体包括：半导体晶体材料层、绝缘隔离层、石墨烯材料层及感应信号电极层，在高原子序数辐射作用晶体表面制备面元阵列结构石墨烯结构层，构建面元阵列石墨烯场效应管结构，采用半导体介质CdZnTe晶体材料作为射线光子吸收介质，同时采用施加了偏置电压的石墨烯场效应管作为信号产生层。本发明以石墨烯材料层的阻值为探测物理量，能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。 |
