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锑化铟芯片的制备方法

基本信息

申请号 CN202011383350.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112614912A 公开（公告）日 2021-04-06
申请公布号 CN112614912A 申请公布日 2021-04-06
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 申请（专利权）人 浙江森尼克半导体有限公司
代理机构 南京乐羽知行专利代理事务所（普通合伙） 代理人 孙承尧
地址 310000浙江省杭州市萧山区杭州湾信息港C座507
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。